Röntgenquellen

Die EUV-Strahlung zur Belichtung der Halbleiterstrukturen wird üblicherweise erzeugt, indem ein kW-Laserstrahl auf ein Jet aus flüssigen Metalltröpfchen im Vakuum fokussiert wird. Das Foto zeigt ein entladungs-basiertes Plasma.
© Fraunhofer ILT, Aachen.

Die EUV-Strahlung zur Belichtung der Halbleiterstrukturen wird üblicherweise erzeugt, indem ein kW-Laserstrahl auf ein Jet aus flüssigen Metalltröpfchen im Vakuum fokussiert wird. Das Foto zeigt ein entladungs-basiertes Plasma.

Die Erzeugung von extremer Ultraviolett- und weicher Röntgenstrahlung im Spektralbereich zwischen 1 nm und 50 nm aus dichten, heißen Plasmen ermöglicht eine kompakte Bauweise von leistungsstarken Strahlungsquellen. Am Fraunhofer ILT werden sowohl laserinduzierte Plasmen (LPP) als auch Entladungsplasmen (DPP) untersucht und verwendet. Für Anwendungen, die insbesondere eine hohe Brillanz der Quelle erfordern, werden laserinduzierte Plasmen bevorzugt. Demgegenüber zeichnen sich Entladungsplasmen durch eine hohe Effizienz der Umwandlung elektrischer Energie in EUV-Licht und einer einfachen Bauweise aus, sodass sie eine kostengünstige Alternative zu laserinduzierten Plasmen darstellen.

Das Fraunhofer ILT entwickelt Strahlungsquellen im Röntgen- und EUV-Bereich, die heute z.B. im Umfeld der Lithographie und der Messtechnik für die Produktion von Chips eingesetzt werden. Hier werden die Strahlen schwerpunktmäßig zur Diganostik und zur Charakterisierung von optischen Systemen für Lebensdaueruntersuchungen von Vielschichtspiegel oder für die Defektinspektion verwendet.

 

Ihre Ansprechpartner an den Instituten sind:

Contact Press / Media

Dr. rer. nat. Klaus Bergmann

Fraunhofer-Institut für Lasertechnik ILT
Steinbachstr. 15
52074 Aachen

Telefon +49 241 8906-302

Fax +49 241 8906-121