EUV- und Röntgenquellen

Die EUV-Strahlung zur Belichtung der Halbleiterstrukturen wird üblicherweise erzeugt, indem ein kW-Laserstrahl auf ein Jet aus flüssigen Metalltröpfchen im Vakuum fokussiert wird. Das Foto zeigt ein entladungs-basiertes Plasma.
© Fraunhofer ILT, Aachen.

Die EUV-Strahlung zur Belichtung der Halbleiterstrukturen wird üblicherweise erzeugt, indem ein kW-Laserstrahl auf ein Jet aus flüssigen Metalltröpfchen im Vakuum fokussiert wird. Das Foto zeigt ein entladungs-basiertes Plasma.

Die Erzeugung von extremer Ultraviolett- und weicher Röntgenstrahlung im Spektralbereich zwischen 1 nm und 50 nm aus dichten, heißen Plasmen ermöglichen eine kompakte Bauweise von leistungsstarken Strahlungsquellen. Am Fraunhofer ILT werden sowohl laserinduzierte (LPP) als auch Entladungsplasmen (DPP) untersucht.

Für Anwendungen, die insbesondere eine hohe Brillanz der Quelle erfordern sind laserinduzierte Plasmen bevorzugt. Entladungsplasmen zeichnen sich demgegenüber durch ihre hohe Effizienz der Umwandlung elektrischer Energie in EUV-Licht, ihrer einfachen Bauweise und damit kostengünstigeren Variante aus.

Das Fraunhofer ILT entwickelt Strahlungsquellen, die heute z.B. im Umfeld der EUV-Lithographie für die Produktion von Chips eingesetzt werden, dort mit dem Schwerpunkt der Charakterisierung von optischen Systemen und Diagnostik für Lebensdaueruntersuchungen von Vielschichtspiegeln oder der Defektinspektion.

Ihre Ansprechpartner an den Instituten sind:

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Dr. rer. nat. Klaus Bergmann

Fraunhofer-Institut für Lasertechnik ILT
Steinbachstr. 15
52074 Aachen

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